Prom – найбільший маркетплейс України

BT136-800E, симистор, 4А, 800В.

5.0 (1)
20+ купили
В наявності
12 ₴
Картка Rozetka
+1%
бонусів з карткою Rozetka
Замовлення у продавця — від 100 ₴
Продавець sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
99%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Укрпошта, Самовивіз
  • Іконка оплати
    Оплата на рахунок
BT136-800E, симистор, 4А, 800В. - фото 1 - id-p1518770947

Характеристики та опис

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Технічний стансправне

BT136-800E, симистор, 4А, 800В.

Світлина реальна.

Відгуки та запитання

5.0 
  • Відгуки (1)
  • Запитання (0)
  • 14.12.2025
    Андрій Г.
     Придбано на Prom.ua
Був online: Вчора
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
sk-электрон. Интернет магазин электронных изделий и компонентов.
99% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

CMH24N50 N-Channel 500V 24A 290W Through Hole TO-247
CMH24N50 N-Channel 500V 24A 290W Through Hole TO-247
215 ₴
STP15N60M2-EP Силовий МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 11 А, 0.34 Ом
STP15N60M2-EP Силовий МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 11 А, 0.34 Ом
278.80 ₴
2SD1910
2SD1910
128.80 ₴
ZVP2106A Транзистор: P-MOSFET, польовий, -60В, -0,28А, Idm: -4А, 0,7Вт
ZVP2106A Транзистор: P-MOSFET, польовий, -60В, -0,28А, Idm: -4А, 0,7Вт
105 ₴
SP20MF65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 2.5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
SP20MF65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 2.5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
381.30 ₴
STD4NK80ZT4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 3 А: Rсі (вкл): 3 ... 3,5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В :
STD4NK80ZT4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 3 А: Rсі (вкл): 3 ... 3,5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В :
133.80 ₴
STP11NK40Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс (25 ° C): 9 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STP11NK40Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс (25 ° C): 9 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
176.30 ₴
2SA1941 транзистор біполярний, PNP, 100 Вт, 140 В, 10 А, 30 МГц
2SA1941 транзистор біполярний, PNP, 100 Вт, 140 В, 10 А, 30 МГц
375 ₴
FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
FDB16AN08A0-VB 80V 120A 120W 6mΩ@10V,30A 4.5V TO-263 MOSFETs
266.30 ₴
CRG40T65AK5HD 250W 40A 650V TO-247 IGBT Transistors
CRG40T65AK5HD 250W 40A 650V TO-247 IGBT Transistors
180 ₴
IHW40N65R6XKSA1 Біполярний транзистор 650 V Максимальне розсіювання потужності 210Вт
IHW40N65R6XKSA1 Біполярний транзистор 650 V Максимальне розсіювання потужності 210Вт
406.30 ₴
SPA15N60C3 МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 650 В, 0.25 Ом, 10 В, 3 В
SPA15N60C3 МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 650 В, 0.25 Ом, 10 В, 3 В
240 ₴
RFP70N06 МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 60 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
RFP70N06 МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 60 В, 0.014 Ом, 10 В, 4 В
152.50 ₴
IPP072N10N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 150Вт
IPP072N10N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 80А, 150Вт
215 ₴