Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG, 600В, 21А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM156909
В наявності
3 350 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 558 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 93 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG — це напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3. Комплект складається з 5 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Постійний струм дрена: 21 А
- Імпульсний струм дрена: 136 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у стані провідності: 93 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 21 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 136 А, а розсіювана потужність становить 250 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 93 мОм.
Технологія та монтажПрилад виготовлений за технологією MDmesh™ DM2. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Поляризація транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
