
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP36NF06L — це уніполярний компонент технології STripFET™ II, N-MOSFET транзистор. Модель розрахована на напругу 60 В та струм 21 А, з розсіюванням потужності до 70 Вт.
Транзистор STP36NF06L використовує технологію STripFET™ II. Опір у відкритому стані становить 50 мОм.
Надійність у силових ланцюгахКомпонент витримує напругу дрена-джерела до 60 В та постійний струм дрена до 21 А. Максимальна розсіювана потужність становить 70 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±18 В, що потребує відповідного керуючого сигналу.
Зручний монтаж та корпусТранзистор виконаний у корпусі TO220-3. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).
КомплектаціяТовар поставляється набором із 20 транзисторів.