Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 2т602б

Код: 63
В наявності
10+ купили
292 ₴
Продавець Радіо-ок
95%

Доставка

  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта
Транзистор 2т602б - фото 1 - id-p1377516557

Характеристики та опис

транзистор 2т602б, золото 93г

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Сьогодні
Радіо-ок
95% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

SP20MF65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 2.5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
SP20MF65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 2.5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
381.30 ₴
LND150N3-G Транзистор: МОП n-канальний, 500 В, 1 мА, 740 мВт, TO92
LND150N3-G Транзистор: МОП n-канальний, 500 В, 1 мА, 740 мВт, TO92
117.50 ₴
STP80NF10FP MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 38 А: Rсі (вкл): 15 мом: @ Uзатв (ном): 10
STP80NF10FP MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 38 А: Rсі (вкл): 15 мом: @ Uзатв (ном): 10
356.30 ₴
IRFB9N60APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 9.2 А: Rсі (вкл): 0.75 Ом: @ Uзатв (ном): 10
IRFB9N60APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 9.2 А: Rсі (вкл): 0.75 Ом: @ Uзатв (ном): 10
122.50 ₴
STW21NM60ND Транзистор: N-MOSFET, FDmesh II, польовий, 600В, 10А, 140Вт
STW21NM60ND Транзистор: N-MOSFET, FDmesh II, польовий, 600В, 10А, 140Вт
393.80 ₴
IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167Вт
IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 60В, 100А, 167Вт
378.80 ₴
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
MSG80N350HLC0 IGBT + Diode: N, Vce: 330 V, Vge: 30V, 320 pF, VGEth: 5.5 V, 175 nC.
382.50 ₴
MJE15033G Біполярний транзистор, аудіо, PNP, 250 В, 30 МГц, 50 Вт, 8 А, 30 hFE
MJE15033G Біполярний транзистор, аудіо, PNP, 250 В, 30 МГц, 50 Вт, 8 А, 30 hFE
93.80 ₴
IKW40N65WR5 Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 115Вт,
IKW40N65WR5 Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 115Вт,
331.30 ₴
IRLZ44NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 41 А, 22 мОм
IRLZ44NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 41 А, 22 мОм
110 ₴
STP4NK80Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 3 А: Rсі (вкл): 3.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STP4NK80Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 3 А: Rсі (вкл): 3.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
116.30 ₴
SSS4N80
SSS4N80
153.80 ₴
IRFI4510GPBF MOSFET, N-CH, 100V, 30A, TO-220FP
IRFI4510GPBF MOSFET, N-CH, 100V, 30A, TO-220FP
213.80 ₴
IRFB11N50APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.52 Ом: @ Uзатв (ном): 10
IRFB11N50APBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.52 Ом: @ Uзатв (ном): 10
216.30 ₴