BU4530AL транзистор NPN (16А 1500В) SOT430 125W Изображения служат только для ознакомления См. спецификации продукта SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCESM Collector-emitter voltage peak value VBE = 0 V - 1500 V VCEO Collector-emitter voltage (open base) - 800 V IC Collector current (DC) - 16 A ICM Collector current peak value - 40 A IB Base current (DC) - 10 A IBM Base current peak value - 15 A Ptot Total power dissipation Tmb ≤ 25 ˚C - 125 W Tstg Storage temperature -55 150 ˚C Tj Junction temperature - 150 ˚C Сфера применения: Power, TV Deflection Тип материала: Si