2Т826А транзистор кремниевый NPN (1А 700В) 15W 2Т826А Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах. Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Транзистор 2Т826А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г. Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3). Технические условия: аА0.339.058 ТУ. Основные технические характеристики транзистора 2Т826А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом Технические характеристики транзисторов 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, 2Т826А-5: Тип транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП max Т max IК max IК. И. max UКЭR max (UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max (РК. Т. max) h21Э UКЭ нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ А А В В В Вт В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С 2Т826А n-p-n 1 1 700 - - 15 10…120 <2,5 - <3 >6 - <25 <250 150 -60…+125 2Т826Б n-p-n 1 1 700 - - 15 10…120 <2,5 - <3 >6 - <25 <250 150 -60…+125 2Т826В n-p-n 1 1 700 - - 15 10…120 <2,5 - <3 >6 - <25 <250 150 -60…+125 2Т826А-5 n-p-n 1 1 700 - - 15 10…120 <2,5 - <3 >6 - <25 <250 150 -60…+125 Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ - коэффициент шума транзистора. • СК - емкость коллекторного перехода. • СЭ - емкость коллекторного перехода. • ТП max - максимально допустимая температура перехода. • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.