Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

КТ808АМ

Код: 2797
Недоступний
120 ₴
КТ808АМ - фото 1 - id-p848451259

Характеристики та опис

Виробник
Ама

Найменування: Транзистор КТ808АМ

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка:

Рік виготовлення: 90-03рр.

Виробник: Іскра

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про даний товар

Схоже в інших продавців

PDTA124ET.215 Біполярний транзистор - Тип: PNP: UКЕ (макс): 50 В: IК (макс): 100 мА: h21: від 56: R1: 22 Ом: R2: 22 Ом
PDTA124ET.215 Біполярний транзистор - Тип: PNP: UКЕ (макс): 50 В: IК (макс): 100 мА: h21: від 56: R1: 22 Ом: R2: 22 Ом
5 ₴
PMBT2907A.215 Біполярний транзистор, універсальний, PNP, -60 В, 200 МГц, 250 мВт, -600 мА, 100 hFE
PMBT2907A.215 Біполярний транзистор, універсальний, PNP, -60 В, 200 МГц, 250 мВт, -600 мА, 100 hFE
3.75 ₴
BC807-16.215 Транзистор: PNP: біполярний: 45У: 500мА: 250МВт: SOT23
BC807-16.215 Транзистор: PNP: біполярний: 45У: 500мА: 250МВт: SOT23
3.75 ₴
DTB123YCHZGT116 Біполярний цифровий/зміщення транзистор, Одиночний PNP, -50 В, -500 мА, 2.2 кОм, 10 кОм
DTB123YCHZGT116 Біполярний цифровий/зміщення транзистор, Одиночний PNP, -50 В, -500 мА, 2.2 кОм, 10 кОм
22.50 ₴
AOD2922 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 100В: 5А: 17Вт
AOD2922 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 100В: 5А: 17Вт
33.75 ₴
SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
26.25 ₴
BC847CW.115 Біполярний транзистор - [SOT-323-3]: Тип: NPN: UКЕ (макс): 45 В: IК (макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц:
BC847CW.115 Біполярний транзистор - [SOT-323-3]: Тип: NPN: UКЕ (макс): 45 В: IК (макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц:
3.75 ₴
2PD601ARL.215 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 100MHz 250 mW
2PD601ARL.215 Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 100 mA 100MHz 250 mW
15 ₴
IRFZ44NPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 49 А: Rсі (вкл): 17.5 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
IRFZ44NPBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс (25 ° C): 49 А: Rсі (вкл): 17.5 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
37.50 ₴
SMBT2222AE6327 Транзистор: NPN: біполярний: 40 В: 600 мА: 330 мВт: SOT23
SMBT2222AE6327 Транзистор: NPN: біполярний: 40 В: 600 мА: 330 мВт: SOT23
5 ₴
MMBT2222ALT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЕ (макс): 40 В: IК (макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 300 МГц:
MMBT2222ALT1G Біполярний транзистор - [SOT-23-3]: Тип: NPN: UКЕ (макс): 40 В: IК (макс): 600 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 300 МГц:
2.50 ₴
IRFL9014TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOT-223]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 14 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
IRFL9014TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOT-223]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 14 А: Rсі (вкл): 0.5 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
37.50 ₴
BCW33LT1G Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 100mA 300mW Surface Mount
BCW33LT1G Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 100mA 300mW Surface Mount
26.25 ₴
AON7524 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 22А, 12,8Вт, DFN3x3 EP
AON7524 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30В, 22А, 12,8Вт, DFN3x3 EP
37.50 ₴