Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

АОТ110Б

Код: 73
Недоступний
160 ₴
АОТ110Б - фото 1 - id-p837250467

Характеристики та опис

Найменування: Оптопара транзисторна АОТ110Б

Група: Оптопара

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 88 - 91гг.

Виробник: Оптрон

 

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - потужність, що розсіюється: 268 Вт
FGA40T65SHDF Транзистор 40A 650V Pd - потужність, що розсіюється: 268 Вт
875 ₴
STP13NK60Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 13 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
STP13NK60Z MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 600 В: Iс (25 ° C): 13 А: Rсі (вкл): 0.55 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
392.50 ₴
SPA11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв
SPA11N80C3XKSA1 MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс (25 ° C): 11 А: Rсі (вкл): 0.45 Ом: @ Uзатв
437.50 ₴
STGB10NB37LZT4 Біполярний транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
STGB10NB37LZT4 Біполярний транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт
712.50 ₴
Транзистор B1097
Транзистор B1097
20 ₴
33 ₴
IRFPS43N50KPBF MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 190 А
IRFPS43N50KPBF MOSFET транзистор: N-канал, 500 В, 190 А
1 065 ₴
Транзистор B1010
Транзистор B1010
15 ₴
27 ₴
IPW60R018CFD7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 101 А, 0.015 Ом, TO-247, Through Hole
IPW60R018CFD7XKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 101 А, 0.015 Ом, TO-247, Through Hole
3 020 ₴
STW45N60DM6 Транзистор: N-MOSFET, DM6, польовий, 600В, 19А, Idm: 95А
STW45N60DM6 Транзистор: N-MOSFET, DM6, польовий, 600В, 19А, Idm: 95А
1 532.50 ₴
AOTL66518 Транзистор: N-MOSFET, AlphaSGT™, польовий, 150В, 214А, Idm: 710А
AOTL66518 Транзистор: N-MOSFET, AlphaSGT™, польовий, 150В, 214А, Idm: 710А
572.50 ₴
FGH40N60SMDF IGBT транзистор, універсальний, 80 А, 600 В, 349 Вт, 600 В
FGH40N60SMDF IGBT транзистор, універсальний, 80 А, 600 В, 349 Вт, 600 В
653.75 ₴
BUV48A Біполярний транзистор, NPN, 450 В, 125 Вт, 15 А, 8 hFE
BUV48A Біполярний транзистор, NPN, 450 В, 125 Вт, 15 А, 8 hFE
633.75 ₴
FGL40N120ANDTU IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin (3 + Tab) TO-264 Rail
FGL40N120ANDTU IGBT Chip N-CH 1.2KV 64A 3-Pin (3 + Tab) TO-264 Rail
1 946.25 ₴
2SC5300
2SC5300
415 ₴