Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

АОТ110Б

Код: 73
Недоступний
160 ₴
АОТ110Б - фото 1 - id-p837250467

Характеристики та опис

Найменування: Оптопара транзисторна АОТ110Б

Група: Оптопара

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка: "AU"

Рік виготовлення: 88 - 91гг.

Виробник: Оптрон

 

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
SIHA15N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 4А, Idm: 29А, 33Вт, TO220FP
401.30 ₴
AOT5N100 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 1кВ, 2,5А, 195Вт, TO220
AOT5N100 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 1кВ, 2,5А, 195Вт, TO220
143.80 ₴
STW7N95K3 MOSFET N-CH 950V 7.2A
STW7N95K3 MOSFET N-CH 950V 7.2A
228.80 ₴
FCP11N60 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 650В, 11А, 125Вт, TO220AB
FCP11N60 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 650В, 11А, 125Вт, TO220AB
137.50 ₴
SP20MF65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 2.5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
SP20MF65TF 650V 20A 34W 150mΩ@10V,10A 2.5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs
381.30 ₴
IKW40N65H5FKSA1 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
IKW40N65H5FKSA1 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
392.50 ₴
NCE2030 20V 30A 10.5mΩ@10V,20A 40W 1 N-channel TO-220 MOSFETs
NCE2030 20V 30A 10.5mΩ@10V,20A 40W 1 N-channel TO-220 MOSFETs
116.30 ₴
IRG4IBC20UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 11.4 А: Ік @ 100 ° C: 6 А: Uке.нас: 1.85 В: tнар:
IRG4IBC20UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 11.4 А: Ік @ 100 ° C: 6 А: Uке.нас: 1.85 В: tнар:
338.80 ₴
IPA70R600P7S МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 700 В, 0.49 Ом, 10 В, 3 В
IPA70R600P7S МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 700 В, 0.49 Ом, 10 В, 3 В
137.50 ₴
IRFB4310PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 140 А: Rсі (вкл): 7 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
IRFB4310PBF MOSFET силовий транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 140 А: Rсі (вкл): 7 мом: @ Uзатв (ном): 10 В:
183.80 ₴
CRJT190N65GCF N-канальний MOSFET: 20 А, 29 Вт, корпус TO-220F
CRJT190N65GCF N-канальний MOSFET: 20 А, 29 Вт, корпус TO-220F
160 ₴
FQPF13N50CF-VB МОП-транзистор, N Канал, 11А(Tc=100C), 550 В, 0.26 Ом, 10 В, 4 В
FQPF13N50CF-VB МОП-транзистор, N Канал, 11А(Tc=100C), 550 В, 0.26 Ом, 10 В, 4 В
131.30 ₴
CM03XIP N-Channel: 650 V, +20/-0.3 V, 1.35 W, 25 mA, -55 ~ +150 C
CM03XIP N-Channel: 650 V, +20/-0.3 V, 1.35 W, 25 mA, -55 ~ +150 C
246.30 ₴
CRSS035N10N 100V 190A 227W 3V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs
CRSS035N10N 100V 190A 227W 3V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs
136.30 ₴