Транзистор IGBT STMicroelectronics STGW30H60DFB, 600 В, 120 А, TO247-3 (набір 10 шт.)
Код: TM020834
В наявності
2 970 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 495 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 260 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STGW30H60DFB від STMicroelectronics у корпусі TO247-3. Пристрій розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 600 В та струм колектора 120 А. У комплекті постачається 10 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга колектор-емітер: 600 В
- Максимальний струм колектора: 120 А
- Потужність розсіювання: 260 Вт
- Корпус: TO247-3
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Максимально допустима напруга колектор-емітер становить 600 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 120 А. Максимальна потужність розсіювання — 260 Вт. Заряд затвора зазначений як 149 нКл, а напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтажТранзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO247-3. У конструкції передбачений інтегрований антипаралельний діод (integrated anti-parallel diode). Тип транзистора: IGBT.
КомплектаціяУ наборі міститься 10 транзисторів STGW30H60DFB.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
