Транзистор IGBT модуль Infineon FP06R12W1T4B3BOMA1, 6A, 1200V, EasyPIM 1B

IGBT модуль Infineon FP06R12W1T4B3BOMA1 — це напівпровідниковий компонент у корпусі AG-EASY1B-1 з номінальним струмом колектора 6 А та напругою 1200 В. Пристрій інтегрує трифазний діодний міст та трифазний IGBT-міст, що забезпечує компактне рішення для силових електронних схем.

• Номінальний струм колектора 6 А
• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Потужність розсіювання 94 Вт
• Корпус AG-EASY1B-1 (EasyPIM™ 1B)
• Інтегрований NTC термістор
• Монтаж Press-in PCB

Модуль здатний розсіювати потужність до 94 Вт, що дозволяє ефективно відводити тепло під час роботи. Це важливо для стабільної роботи силових каскадів у промислових та побутових пристроях, де тепловий режим є критичним параметром.

Конструкція поєднує трифазний діодний міст, трифазний IGBT-міст та NTC термістор. Така інтеграція спрощує розробку драйверів двигунів та інверторів, зменшуючи кількість зовнішніх компонентів на платі.

Модуль призначений для механічного кріплення (прикручування) та електричного монтажу за технологією Press-in PCB. Напруга керування затвор-емітер становить ±20 В, а імпульсний струм колектора може досягати 12 А, що визначає вимоги до драйверів та дозволяє працювати з піковими навантаженнями.

Внутрішня структура модуля поєднує діод та транзистор, що реалізує функціональність IGBT. Така комбінація дозволяє ефективно керувати потужністю у силових ланцюгах, забезпечуючи необхідну топологію для трифазних систем.