
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 65 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 8 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP8NC60KD у корпусі TO220AB. Комплект складається з 20 одиниць. Основні параметри: напруга колектор-емітер 600 В, струм колектора 8 А, потужність розсіювання 65 Вт.
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 600 В та струм колектора 8 А. Максимальна потужність розсіювання становить 65 Вт. Заряд затвора дорівнює 19 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
Конструкція та монтажВиріб виконаний у корпусі TO220AB з вставним типом монтажу. Інтегрована антипаралельна діодна структура є частиною компонента. Тип транзистора — польовий (IGBT).
КомплектаціяУ наборі 20 транзисторів STGP8NC60KD.