
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 55 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 32 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 27 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PowerFLAT 5x6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STL8DN6LF6AG — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 32 А.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний постійний струм стоку становить 32 А, а імпульсний струм може досягати 128 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 27 мОм.
Потужність та конструкціяМаксимальна потужність розсіювання транзистора становить 55 Вт. Прилад виконаний у корпусі PowerFLAT 5x6. Монтаж: поверхневий (SMD).
КомплектаціяУ наборі постачається 20 транзисторів. Застосування: автомобільна промисловість. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 128 А. Заряд затвора дорівнює 27 нКл.