Транзистор IGBT STMicroelectronics STGP30M65DF2, 650В, 30А, TO220AB (набір 10 шт.)
Код: TM020827
В наявності
3 220 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 537 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 258 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP30M65DF2 у корпусі TO220AB. Комплект складається з 10 одиниць.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Постійний струм колектора: 30 А
- Імпульсний струм: до 120 А
- Розсіювана потужність: 258 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Інтегрований антипаралельний діод
- Комплект: 10 шт.
Транзистор працює з напругою колектор-емітер до 650 В та постійним струмом колектора 30 А.
Імпульсна потужністьПрилад витримує імпульсний струм колектора до 120 А. Максимальна розсіювана потужність становить 258 Вт.
Вбудований діод та монтажКомпонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом THT у корпусі TO220AB.
Керування та зарядНапруга керування затвором становить ±20 В, а заряд затвора — 80 нКл.
КомплектаціяУ набір входить 10 транзисторів STGP30M65DF2.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
