
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 720 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF9N60M2 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220FP. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та струм стоку 5,5 А.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 650 В та напругу затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 5,5 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 720 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 20 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Заряд затвора становить 10 нКл, а імпульсний струм стоку може досягати 22 А.
КомплектаціяУ наборі постачається 20 транзисторів STF9N60M2. Кількість у комплекті: 20 шт.