Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3, 525В, 2,77А, DPAK (набір 20 шт.)
Код: TM114273
В наявності
3 570 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 595 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 525 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.77 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5N52K3 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 525 В. Комплект містить 20 транзисторів.
- Напруга дрена-джерела: 525 В
- Струм дрена: 2,77 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: DPAK (SMD монтаж)
- Захист ESD та технологія SuperMesh™
- Комплект: 20 штук
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 525 В та струм дрена 2,77 А.
Ефективне відведення теплаПотужність розсіювання становить 70 Вт. Корпус DPAK забезпечує монтаж на поверхню (SMD).
Захист від статичної електрикиВерсія ESD. Версія ESD та технологія SuperMesh™.
Полярність та тип каналуТранзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Це визначає принцип його роботи в схемах керування.## Напруга на затворіДопустима напруга між затвором та джерелом становить ±30 В. ## Опір у відкритому станіОпір у стані провідності дорівнює 1,5 Ом.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
