Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW7N105K5, 1050 В, 3 А, TO247 (набір 10 шт.)

Код: TM020999
В наявності
3 790 ₴
Картка Rozetka
+1%
бонусів з карткою Rozetka
Продавець Iskra
100%

Доставка

  • Іконка доставки
    Підписка на доставку Smart
    Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
    Дізнатися більше
  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Безпечна оплата карткою
    Зображення для Безпечна оплата карткою
    Без переплат
    Prom гарантує безпеку
    Повернемо гроші при відмові від посилки
  • Іконка оплати
    Оплатити частинами
    Без переплат*, від 632 ₴ / міс.
    Детальніше
  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта, Самовивіз
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW7N105K5, 1050 В, 3 А, TO247 (набір 10 шт.) - фото 1 - id-p3243240461

Характеристики та опис

Основні

Виробник
STMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання110 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустимий струм стоку3 А
Опір у відкритому стані (Rds)1400 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий

Додаткові характеристики

СтанНовий

Користувальницькі характеристики

Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO247

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW7N105K5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для використання в електронних схемах. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO247, що забезпечує зручний монтаж на друкованій платі.

  • Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
  • Максимальна напруга дрена-джерела 1,05 кВ
  • Постійний струм дрена 3 А, імпульсний 16 А
  • Потужність розсіювання 110 Вт
  • Корпус TO247, монтаж THT
  • Заряд затвора 11 нКл
Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 1,05 кВ та постійний струм дрена 3 А. Імпульсний струм дрена може досягати 16 А, що важливо для пускових режимів роботи обладнання.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна потужність розсіювання становить 110 Вт. Корпус TO247 та монтажний тип THT забезпечують зручне встановлення на друкованій платі.

Низький заряд затвора

Заряд затвора дорівнює 11 нКл. Опір у стані провідності становить 1,4 Ом.

Комплектація

У комплекті постачається 10 транзисторів STW7N105K5. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В.

Схожі товари за характеристиками

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Сьогодні
Iskra
Iskra
100% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM, -500 В, -1,33 А, 50 Вт, DPAK (набір 20 шт.)
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM, -500 В, -1,33 А, 50 Вт, DPAK (набір 20 шт.)
3 990 ₴
Транзистор ONSEMI MJE3055TG, NPN, 60 В, 10 А, 125 Вт, TO220AB (набір 20 шт.)
Транзистор ONSEMI MJE3055TG, NPN, 60 В, 10 А, 125 Вт, TO220AB (набір 20 шт.)
3 280 ₴
Транзистор IXYS IXFP56N30X3, N-MOSFET, 300 В, 56 А, 320 Вт, TO220AB — набір 3 шт.
Транзистор IXYS IXFP56N30X3, N-MOSFET, 300 В, 56 А, 320 Вт, TO220AB — набір 3 шт.
3 060 ₴
Транзистор N-MOSFET Infineon SPB20N60C3, 650 В, 20,7 А, PG-TO263-3 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon SPB20N60C3, 650 В, 20,7 А, PG-TO263-3 (набір 10 шт.)
3 650 ₴
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT16P60P, -600 В, -16 А, 460 Вт, TO268 (набір 2 шт.)
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT16P60P, -600 В, -16 А, 460 Вт, TO268 (набір 2 шт.)
3 450 ₴
Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N65C3, 650 В, 13.1 А, 208 Вт (5 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon SPP20N65C3, 650 В, 13.1 А, 208 Вт (5 шт.)
3 110 ₴
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1, 250 В, 64 А, 300 Вт, PG-TO220-3 (набір 5 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1, 250 В, 64 А, 300 Вт, PG-TO220-3 (набір 5 шт.)
3 190 ₴
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics SD2942W, RF, 130 В, 40 А, 500 Вт, корпус M244
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics SD2942W, RF, 130 В, 40 А, 500 Вт, корпус M244
14 300 ₴
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP16N50P, 500 В, 16 А, 300 Вт, TO220AB — набір 10 шт.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFP16N50P, 500 В, 16 А, 300 Вт, TO220AB — набір 10 шт.
3 450 ₴
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R1-60YLX, 60 В, 100 А, 238 Вт (набір 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R1-60YLX, 60 В, 100 А, 238 Вт (набір 20 шт.)
3 140 ₴
Транзистор польовий FQPF8N65
Транзистор польовий FQPF8N65
39.44 ₴
Транзистор P-MOSFET Vishay IRFU9014PBF, -60 В, -3,2 А, 25 Вт, IPAK (набір 20 шт.)
Транзистор P-MOSFET Vishay IRFU9014PBF, -60 В, -3,2 А, 25 Вт, IPAK (набір 20 шт.)
3 630 ₴
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP, 600В, 8,5А, TO220FP (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP, 600В, 8,5А, TO220FP (набір 10 шт.)
3 690 ₴
Транзистор IGBT IXYS IXYX120N120C3, 1200 В, 120 А, корпус PLUS247™
Транзистор IGBT IXYS IXYX120N120C3, 1200 В, 120 А, корпус PLUS247™
3 340 ₴