
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 950 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMESH5™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10N95K5 — це польовий транзистор з каналом типу n та технологією SuperMESH5™. Прилад має максимальну напругу стік-витік 950 В, струм стоку 5 А та потужність розсіювання 130 Вт. У комплекті поставляється 10 штук у корпусі TO220-3.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 950 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку становить 5 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 800 мОм. Максимальна потужність розсіювання приладу — 130 Вт. Прилад виготовлений за технологією SuperMESH5™.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Транзистор є польовим, з каналом типу n (wzbogacany) та уніполярною поляризацією.
Комплектація та версіяУ наборі міститься 10 транзисторів STP10N95K5. Кількість у комплекті зазначена як 10 шт. Компонент має версію ESD.