
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 95 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 39 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06L — це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та технологією STripFET™ II. Прилад виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу та призначений для роботи з напругою до 60 В та струмом до 39 А.
Максимально допустима напруга стік-витік (Vds) становить 60 В, а напруга затвор-витік (Vgs) — 16 В. Максимальний струм стоку (Id) дорівнює 39 А, що визначає пропускну здатність приладу в відкритому стані. Опір у відкритому стані (Rds) складає 18 мОм, що впливає на теплові втрати при комутації.
Потужність розсіюванняМаксимальна потужність розсіювання транзистора становить 95 Вт. Прилад є уніполярним (unipolarny) та належить до типу N-MOSFET.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі TO220-3. Тип монтажу — вставний. У комплекті поставки знаходиться 20 шт. транзисторів STP55NF06L.