
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3250 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF3LN80K5 — це польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP. Комплект складається з 20 одиниць.
Максимальна напруга стік-витік становить 800 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 2 А, а імпульсний струм може досягати 8 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 20 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO220FP. Опір у відкритому стані (Rds) становить 3250 мОм. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.
Додаткові характеристики заряду затвора та імпульсного струмуЗаряд затвора (Qg) становить 2,63 нКл. Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) досягає 8 А. У наборі постачається 20 транзисторів.