Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2, 650 В, 12 А, I2PAK (20 шт.)
Код: TM020841
В наявності
4 020 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 670 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 330 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | I2PAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STI18N65M2 — це польовий транзистор з каналом типу «збагачуваний» у корпусі I2PAK.
- Тип транзистора: N-MOSFET, польовий
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 12 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Корпус: I2PAK
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Максимальна напруга стік-витік становить 650 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 12 А, а струм у імпульсному режимі може досягати 48 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 330 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 110 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор має корпус I2PAK. Тип монтажу — вставний. Напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В. Заряд затвора становить 20 нКл.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
