
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 950 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N60M2 — це польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220-3. Прилад має максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стоку 5 А. У комплекті поставляється 20 одиниць.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 650 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимально допустимий постійний струм стоку становить 5 А, а імпульсний струм може досягати 20 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 950 мОм, що визначає теплові втрати при провідності.
Потужність та конструкціяМаксимальна потужність розсіювання транзистора становить 60 Вт. Прилад виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Заряд затвора (Qg) дорівнює 8,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання.
КомплектаціяУ наборі міститься 20 транзисторів STP7N60M2.