Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF45N65M5, 650 В, 22 А, TO220FP (3 шт.)
Код: TM156873
В наявності
2 300 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 383 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 78 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmeshTM В |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF45N65M5 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 650 В та струм 22 А. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі TO220FP з технологією MDmesh™ V.
- Напруга дрена-джерела 650 В
- Струм дрена 22 А
- Потужність розсіювання 40 Вт
- Опір у стані провідності 78 мОм
- Корпус TO220FP для монтажу THT
- Комплект з 3 транзисторів
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 650 В та витримує струм дрена 22 А. Потужність розсіювання становить 40 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 78 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±25 В.
Корпус TO220FPПрилад виконаний у корпусі TO220FP для монтажу THT. Транзистор належить до версії ESD. Технологія MDmesh™ V визначає структуру чіпа. Опір у стані провідності дорівнює 78 мОм.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
