Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200, SiC MOSFET, 1200 В, 50 А (SOT227B)
Код: TM152426
В наявності
4 820 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 803 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 460 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 34 mOm |
Додаткові характеристики
| Максимальна робоча температура | 150 град. |
|---|---|
| Стан | Новий |
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
| Робоча температура | -55–150 °C |
| Технологія | SiC |
Транзистор DACO Semiconductor DACMI80N1200 — це модуль на основі карбід-кремнієвої (SiC) технології в корпусі SOT227B. Пристрій має максимальну робочу напругу 1200 В та струм стоку 50 А.
- Струм стоку: 50 А
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 34 мОм
- Потужність розсіювання: 460 Вт
- Технологія: SiC
- Корпус: SOT227B
Модуль працює з максимальною напругою затвор-витік 20 В та витримує струм стоку до 50 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 34 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 460 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений за технологією SiC і має структуру «одиночний транзистор» (pojedynczy tranzystor). Корпус SOT227B передбачає прикручуваний монтаж як для електричного, так і для механічного кріплення. Діапазон робочих температур становить від -55 до 150 °C.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
