Модуль IGBT STMicroelectronics A1P35S12M3, 35 А, 1,2 кВ
Код: TM017731
В наявності
4 410 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 735 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Тип монтажу | Вставний |
Користувальницькі характеристики
| Корпус | ACEPACK™1 |
|---|
Напівпровідниковий модуль IGBT від STMicroelectronics із моделлю A1P35S12M3. Це напівміст IGBT x3 зі струмом колектора 35 А та зворотною напругою 1,2 кВ.
- Струм колектора: 35 А
- Зворотна напруга: 1,2 кВ
- Максимальна потужність розсіювання: 250 Вт
- Максимальний струм колектора: 70 А
- Корпус: ACEPACK™1
- Тип монтажу: вставний
Модуль має максимальний допустимий струм колектора 70 А та максимальну потужність розсіювання 250 Вт. Зворотна напруга становить 1,2 кВ, а напруга затвор-емітер — ±20 В. Структура напівпровідника реалізована як транзистор/транзистор.
Конструкція та монтажКорпус модуля виконаний у форматі ACEPACK™1. Тип монтажу — вставний (plug-in). Топологія включає три напівмости IGBT та термістор NTC.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
