Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1, 650 В, 200 А, TO247-4 (3 шт.)
Код: TM151368
В наявності
2 780 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 463 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 357 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 200 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
IGBT-транзистор BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 у корпусі TO247-4 із вбудованим діодом SiC SBD. Комплект складається з 3 одиниць із вставним типом монтажу.
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 200 А
- Потужність розсіювання: 357 Вт
- Корпус: TO247-4, вставний монтаж
- Комплект: 3 шт.
- Інтегрований діод SiC SBD
Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, а максимально допустимий струм колектора — 200 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 357 Вт. Транзистор виготовлений за технологією Field Stop, Trench та має інтегрований антипаралельний діод SiC SBD.
Особливості конструкціїКорпус TO247-4, тип монтажу — вставний. Зарядка затвора становить 308 нКл, а допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
КомплектаціяУ комплекті постачається 3 транзистори.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
