Транзистор N-MOSFET BASiC SEMICONDUCTOR SiC 1,2kV 45A (B3M040120H), 10 шт.
Код: TM151182
В наявності
2 460 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 410 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SiC |
Транзистор N-MOSFET від бренду BASiC SEMICONDUCTOR, модель B3M040120H. Це напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) з максимальним струмом стоку 45 А та потужністю розсіювання 312 Вт. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO247-3.
- Максимальний струм стоку: 45 А
- Потужність розсіювання: 312 Вт
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Корпус: TO247-3
- Тип монтажу: THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Прилад має максимально допустимий струм стоку 45 А та максимальну потужність розсіювання 312 Вт. Ці параметри визначають робочі режими компонента.
Технологія SiC та напругаВикористання технології SiC (карбід кремнію) відрізняє цей компонент від стандартних кремнієвих аналогів. Зазначена напруга в специфікації: 1,2kV.
Корпус та монтажТранзистор виготовлений у корпусі TO247-3. Монтаж виконується за технологією THT (скрізний монтаж), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
