
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
P-канальний польовий транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO3409 у корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із навантаженням до 2,2 А.
Транзистор є уніполярним P-MOSFET із збагачуваним каналом. Максимальна напруга між витоком та стоком становить -30 В, а струм стоку — -2,2 А. Потужність розсіювання дорівнює 1 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Електричні характеристикиОпір у відкритому стані (Rds(on)) складає 0,11 Ом. Заряд затвора становить 2,2 нКл. Максимальна допустима напруга затвор-виток (Vgs) обмежена ±20 В.
Електричні характеристики та перемиканняТовар постачається набором із 150 одиниць транзисторів AO3409.