Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP3N150, 1500 В, 1,6 А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM114342
В наявності
2 290 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 382 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | PowerMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP3N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під високою напругою. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-джерело: 1500 В (1,5 кВ)
- Струм стіка: 1,6 А
- Розсіювана потужність: 140 Вт
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Транзистор розрахований на напругу стік-джерело до 1500 В (1,5 кВ) та струм стіка 1,6 А. Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 9 Ом.
Технологія PowerMesh™ та монтажПрилад виготовлений за технологією PowerMesh™. Корпус TO220-3 призначений для вивідного монтажу (THT). Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
