Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7, 100В, 32А, DPAK (набір 20 шт.)
Код: TM020801
В наявності
3 840 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 640 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 60 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 32 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | STripFETTM F7 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD45N10F7 — це уніполярний компонент із технологією STripFET™ F7.## Комплектація
- Струм стоку 32 А (постійний) та 180 А (імпульсний)
- Напруга стік-витік 100 В
- Опір у відкритому стані 18 мОм
- Розсіювана потужність 60 Вт
- Корпус DPAK для SMD-монтажу
- Технологія STripFET™ F7
- Комплект: 20 шт.
Опір у відкритому стані становить 18 мОм. Цей параметр визначає втрати енергії при проходженні струму через транзистор.
Струм та потужністьПостійний струм стоку становить 32 А, а імпульсний струм — 180 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 60 Вт.
Електричні параметриМаксимальна напруга стік-витік дорівнює 100 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Канал типу «збагачений» (enhancement mode) забезпечує передбачуване відкривання транзистора при подачі керуючого сигналу.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у корпусі DPAK. Монтаж здійснюється за технологією SMD (поверхневий монтаж).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
