Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM2, 600В, 15,5А, TO220-3 набір 5 шт.
Код: TM114341
В наявності
1 920 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 320 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 190 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 15.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM2 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 15,5 А. Виконується у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT) та реалізує технологію MDmesh™ DM2.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 15,5 А (імпульсний до 96 А)
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ DM2
- Комплект: 5 шт.
Прилад працює з напругою дрена-джерела до 600 В та постійним струмом дрена 15,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 96 А. Опір у стані провідності становить 0,13 Ом.
Потужність та керуванняМаксимальна розсіювана потужність транзистора — 190 Вт. Напруга на затворі обмежена ±30 В, а заряд затвора дорівнює 43 нКл.
КомплектаціяТовар поставляється набором із 5 транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
