Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS, напівміст, 1200 В, 600 А, SEMITRANS3 (SKM400GB125D, 22890626)
Код: TM113987
В наявності
33 790 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 5632 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимально допустимий струм колектора | 600 А |
|---|
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | D56 |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | SEMITRANS3 |
| Виробник | SEMIKRON DANFOSS |
Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM400GB125D — напівпровідниковий модуль типу IGBT із топологією напівмоста в корпусі SEMITRANS3. Максимальна зворотна напруга модуля — 1,2 кВ, максимально допустимий струм колектора — 600 А.
- Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
- Струм колектора: 600 А
- Напруга затвор – емітер: ±20 В
- Корпус: SEMITRANS3, версія D56
- Топологія: напівміст IGBT
- Монтаж: прикручуваний, конектори FASTON
Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ. Максимально допустимий струм колектора — 600 А. Напруга затвор – емітер — ±20 В.
Структура і топологіяСтруктура напівпровідника — транзистор/транзистор, тобто модуль містить два транзистори. Топологія модуля — напівміст IGBT.
Корпус і монтажМодуль виконаний у корпусі SEMITRANS3, версія — D56. Механічний монтаж — прикручуваний. Електричний монтаж — конектори FASTON і прикручування.
ЗастосуванняЗа даними виробника, модуль застосовується в джерелах безперервного живлення (UPS) та інверторах. Також у застосуваннях указано фотовольтаїку.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
