
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06FP — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220FP. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В, струм стоку 35 А та потужність розсіювання 30 Вт. У комплекті поставляється 20 одиниць.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний постійний струм стоку становить 35 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 18 мОм.
Конструкція та монтажКомпонент виготовлений за технологією STripFET™ II та має версію ESD. Корпус TO220FP. Тип монтажу — вставний.
КомплектаціяУ наборі міститься 20 транзисторів STP55NF06FP.