
| Максимальна потужність розсіювання | 3.2 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Версія | ESD |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | DFN2x2C |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON2411 — це уніполярний P-MOSFET у корпусі DFN2x2C для поверхневого монтажу (SMD).## Комплектація
Транзистор має напругу стік-витік -12 В та струм стоку -15,5 А. Потужність розсіювання становить 3,2 Вт, а опір у відкритому стані — 8 мОм.
Керування та зарядНапруга затвор-витік обмежена ±8 В, що визначає допустимі режими керування. Заряд затвора становить 20 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у компактному корпусі DFN2x2C з технологією SMD, що дозволяє розміщувати його на друкованих платах із високою щільністю. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду, важливого при монтажі та експлуатації.