Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06, 60 В, 35 А, TO220-3 (10 шт.)
Код: TM037171
В наявності
3 040 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 507 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP55NF06 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220-3. Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 35 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Опір у відкритому стані: 18 мОм
- Корпус: TO220-3
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 35 А при максимальній потужності розсіювання 110 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 18 мОм.
Конструкція та монтажТранзистор має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO220-3. Це уніполярний компонент з каналом збагачення.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
