Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5, 800В, 12.3А, TO220-3 (5 шт.)
Код: TM078830
В наявності
3 090 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 515 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ K5 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP25N80K5 — це уніполярний польовий транзистор з технологією MDmesh™ K5, призначений для роботи з напругою до 800 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 800 В
- Струм стіка: 12,3 А (постійний), 78 А (імпульсний)
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ K5
- Комплектація: 5 шт.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 800 В та постійний струм стіка 12,3 А. У імпульсному режимі струм стіка може досягати 78 А.
Корпус та монтажКомпонент виготовлений за технологією MDmesh™ K5. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 0,26 Ом. Максимальна напруга затвор-витік становить ±30 В, а заряд затвора — 40 нКл. Монтаж здійснюється методом THT (скрізь отвори) у корпусі TO220-3. Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
