
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 440 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 20 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Версія | ESD |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGB10NB37LZT4 у корпусі D2PAK для SMD-монтажу. Комплект складається з 10 одиниць із номінальною напругою 440 В та струмом колектора 20 А.
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 440 В та постійний струм колектора 20 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 40 А. Потужність розсіювання становить 125 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.
Особливості керування та захистуВерсія ESD забезпечує вбудований захист від електростатичних розрядів. Елемент має внутрішнє обмеження (internally clamped) та працює від логічного рівня сигналу (logic level). Напруга затвор-емітер обмежена ±20 В, а заряд затвора дорівнює 28 нКл.
Монтаж та застосуванняКомпонент виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD). Згідно з даними виробника, транзистор призначений для систем запалювання. У комплекті постачається 10 транзисторів.