
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Набір із 20 транзисторів ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N65 типу N-MOSFET у корпусі TO220. Призначені для монтажу на плату (THT) у електронних пристроях, що потребують керування струмом до 6,2 А та напругою до 650 В.
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 650 В, а постійний струм стоку — 6,2 А. Потужність розсіювання дорівнює 250 Вт.
Керування та опірЗаряд затвора становить 27,7 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Максимальна напруга затвор-виток обмежена ±30 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 1 Ом, що визначає теплові втрати при проходженні струму.
Комплектація та монтажУ комплекті постачається 20 транзисторів. Корпус TO220 та тип монтажу THT передбачають встановлення компонентів у отвори друкованої плати.