Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N150, 1500 В, 1,6 А, TO3PF (5 шт.)
Код: TM078704
В наявності
2 110 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 352 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 63 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PF |
| Технологія | PowerMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STFW3N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 1500 В. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO3PF з технологією PowerMesh™.
- Напруга дрена-джерела: 1500 В
- Струм дрена: 1,6 А
- Розсіювана потужність: 63 Вт
- Корпус: TO3PF, монтаж THT
- Технологія: PowerMesh™
- Комплектація: 5 шт.
Транзистор STFW3N150 має напругу дрена-джерела 1500 В та струм дрена 1,6 А.
Потужність та монтаж THTМаксимальна розсіювана потужність становить 63 Вт. Компонент має монтаж THT (скрізний монтаж),
Висока напруга та струмВикористання технології PowerMesh™ впливає на характеристики провідності транзистора. Прилад є уніполярним,
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
