Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2NK90ZT4, 900 В, 1,3 А, DPAK набір 10 шт.
Код: TM078678
В наявності
2 200 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 367 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD2NK90ZT4 — це напівпровідниковий компонент з каналом збагачення та захистом ESD. Пристрій розрахований на напругу 900 В та струм 1,3 А.
- Напруга стік-виток 900 В
- Струм стоку 1,3 А
- Потужність розсіювання 70 Вт
- Корпус DPAK для SMD монтажу
- Вбудований захист ESD
- Комплект із 10 транзисторів
Транзистор витримує напругу між стоком та витоком 900 В. Максимальний струм стоку становить 1,3 А, а потужність розсіювання — 70 Вт. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Корпус DPAK та монтаж SMDКомпонент виконаний у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Тип монтажу SMD передбачає розміщення компонента на поверхні друкованої плати. Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™.
Захист від розрядів та комплектаціяВерсія ESD вбудовує захист від електростатичного розряду. Товар поставляється набором із 10 штук.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
