Модуль IGBT STARPOWER GD40PIY120C5S, 1200 В, 40 А
Код: TM018720
В наявності
6 500 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 1083 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимально допустимий струм колектора | 40 А |
|---|---|
| Тип монтажу | Вставний |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | C5 45 мм |
| Виробник | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Напівпровідниковий модуль IGBT від бренду STARPOWER SEMICONDUCTOR із маркуванням GD40PIY120C5S. Пристрій поєднує в собі діод і транзистор, працює за топологією boost chopper та має максимальну напругу 1200 В.
- Максимальна напруга: 1200 В
- Максимальний струм колектора: 40 А
- Тип монтажу: вставний
- Корпус: C5 45 мм
- Технологія: Advanced Trench FS IGBT
- Напруга затвор-емітер: ±20 В
Модуль розрахований на максимальну напругу 1200 В та максимальний струм колектора 40 А. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В. Технологія виготовлення — Advanced Trench FS IGBT.
Конструкція та монтажКорпус модуля має типорозмір C5 45 мм. Виріб призначений для вставного монтажу. У структурі напівпровідника реалізовано комбінацію діода та транзистора.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
