Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1, 650В, 75А, TO247-4 (2 шт.)
Код: TM035126
В наявності
2 510 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 418 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 405 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 300 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-4.## Комплектація
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 75 А (300 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 405 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
- Інтегрований діод SiC SBD
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 650 В та постійним струмом колектора 75 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 300 А. Максимальна розсіювана потужність становить 405 Вт.
Технологія та швидкодіяПрилад виготовлений за технологіями Field Stop, Trench та має інтегрований діод SiC SBD. Час замикання (включення) дорівнює 84 нс, а час розмикання (вимикання) — 565 нс.
Монтаж та корпусУ пакуванні знаходиться 2 транзистори.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
