Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB12N65L, N-MOSFET, 650V, 7.7A, TO263 (20 шт.)
Код: TM034890
В наявності
2 810 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 468 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 720 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO263 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOB12N65L — це N-MOSFET у корпусі TO263 з параметрами для роботи в електронних схемах. Комплект із 20 одиниць забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту обладнання.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 7,7 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 650 В та витримує струм дрена 7,7 А. Компонент має високі параметри напруги та струму.
Ефективне розсіювання теплаПотужність розсіювання становить 40 Вт, що вимагає належного відведення тепла від корпусу TO263.
Електричні характеристики та монтажКомпонент має тип монтажу SMD та корпус TO263. Напруга затвор-джерело становить ±30 В, а опір у стані провідності — 720 мОм. Заряд затвора дорівнює 39,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
