
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
|---|---|
| Корпус | SO8 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
N-канальний MOSFET-транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO4266E у корпусі SO8. Має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стоку 8,5 А.
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимальний струм стоку становить 8,5 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 13,5 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 2 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у поверхневому корпусі SO8. Це польовий транзистор з каналом збагаченого типу (enhancement mode). У комплекті постачається 80 штук. Заряд затвора становить 6,5 нКл. Поляризація транзистора — уніполярна.