
| Максимальна потужність розсіювання | 178 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 860 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO252 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD9N50 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 50 одиниць.
Транзистор має напругу дрена-джерела 500 В та струм дрена 5,7 А. Потужність розсіювання становить 178 Вт, а опір у стані провідності — 860 мОм. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В, а заряд затвора — 13,1 нКл.
Корпус та монтажКомпонент виготовлений у корпусі TO252, що призначений для поверхневого монтажу (SMD).