Транзистор IGBT STMicroelectronics A1P35S12M3, 35А, 1200В, корпус ACEPACK 1

IGBT-модуль STMicroelectronics A1P35S12M3 — це напівпровідниковий пристрій у корпусі ACEPACK™1, призначений для інверторів та керування двигунами. Модуль забезпечує номінальний струм колектора 35 А та витримує імпульсний струм до 70 А, що робить його надійним рішенням для промислової електроніки.

• Номінальний струм колектора 35 А для стабільної роботи
• Імпульсний струм до 70 А для пікових навантажень
• Максимальна розсіювана потужність 250 Вт
• Корпус ACEPACK™1 для компактної інтеграції
• Монтаж Press-in PCB та механічне прикручування
• Вбудований термістор NTC для контролю температури

Модуль розрахований на максимальну розсіювану потужність 250 Вт, що дозволяє ефективно відводити тепло під час тривалої роботи. Вбудований термістор NTC забезпечує точний контроль температури, запобігаючи перегріву компонентів. Це критично важливо для стабільної роботи інверторів та силових каскадів у складних умовах експлуатації.

Пристрій використовує технологію Press-in PCB для електричного монтажу, що спрощує процес встановлення на друковані плати. Механічне кріплення виконується за допомогою прикручування, що гарантує надійну фіксацію модуля в корпусі обладнання. Така комбінація методів монтажу забезпечує стабільний контакт та механічну стійкість системи.

Внутрішня структура модуля включає три напівмостові схеми IGBT, що дозволяє реалізувати трифазні інверторні рішення в одному корпусі. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ, а допустима напруга між затвором та емітером — ±20 В. Ці параметри роблять модуль універсальним для широкого спектру застосувань у силовій електроніці.

IGBT-модуль A1P35S12M3 від STMicroelectronics є оптимальним вибором для інженерів, які розробляють інвертори та системи керування двигунами. Поєднання високої потужності, компактних розмірів та зручного монтажу спрощує створення ефективних силових електронних систем.