Транзистор ONSEMI BD681G, NPN, Дарлінгтона, 100В, 4А, 40Вт, TO225 набір 20 шт.
Код: TM018034
В наявності
2 680 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 447 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Оплата на рахунокIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 4 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Біполярний |
Користувальницькі характеристики
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO225 |
Транзистор ONSEMI BD681G — це біполярний NPN-транзистор типу Дарлінгтона у корпусі TO225. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для монтажу на друковану плату (THT).
- Тип транзистора: NPN, біполярний, Дарлінгтона
- Максимальний струм колектора: 4 А
- Розсіювана потужність: 40 Вт
- Напруга колектор-емітер: 100 В
- Корпус: TO225, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор розрахований на максимальний струм колектора 4 А та розсіювану потужність 40 Вт. Це дозволяє використовувати компонент у схемах із середнім навантаженням, де потрібне посилання струму бази.
Напруга та тип структуриМаксимальна напруга колектор-емітер становить 100 В. Структура Дарлінгтона забезпечує високий коефіцієнт підсилення, що спрощує керування навантаженням від логічних виходів мікроконтролерів або інших джерел зі слабким струмом.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у стандартному корпусі TO225 з виводами для монтажу на поверхні друкованої плати (THT). Такий формат зручний для прототипування та серійного виробництва обладнання.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
