Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор BC556B TO-92 /Diotec

Код: 01-12605
В наявності
2.20 ₴
Картка Rozetka
+5%
бонусів з карткою Rozetka
Замовлення у продавця — від 150 ₴
Продавець DecorLED
100%

Доставка

  • Іконка доставки
    Нова Пошта

Оплата та гарантії

  • Іконка оплати
    Післяплата
    Нова Пошта
Транзистор BC556B TO-92 /Diotec - фото 1 - id-p2701480893

Характеристики та опис

Основні

Виробник
Diotec

Користувальницькі характеристики

Категорія2
Розділ_синхронізаціїТранзистори
Штрих_код2919460342798
Транзистор BC556B TO-92 /Diotec

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
Був online: Вчора
DecorLED
DecorLED
100% позитивних відгуків

Схоже в інших продавців

IRF8714PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 8.7 ... 13 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
IRF8714PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 8.7 ... 13 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В:
40 ₴
AOD450 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 200В: 2,7А: 25Вт
AOD450 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 200В: 2,7А: 25Вт
66.30 ₴
BCP53-16T1G Транзистор: PNP, біполярний, 80В, 1,5А, 1,5 Вт
BCP53-16T1G Транзистор: PNP, біполярний, 80В, 1,5А, 1,5 Вт
28.80 ₴
J112 ПТ з керуючим pn-переходом (JFET), -35 В, 5 мА, -5 В, TO-92, JFET
J112 ПТ з керуючим pn-переходом (JFET), -35 В, 5 мА, -5 В, TO-92, JFET
36.30 ₴
2SD1828
2SD1828
75 ₴
MMBF5460 JFET з P-каналом, 40 В, 225 мВт, SOT-23-3
MMBF5460 JFET з P-каналом, 40 В, 225 мВт, SOT-23-3
67.50 ₴
IRF7465TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uсі: 150 В: Rсі(вкл): 0.28 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30
IRF7465TRPBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uсі: 150 В: Rсі(вкл): 0.28 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30
63.80 ₴
BSP62.115 Біполярний транзистор - [SOT-223]: Тип: PNP Darl.: UКЕ(макс): 80 В: IК(макс): 500 мА: Pрос: 1.25 Вт: Fгран: 200 МГц:
BSP62.115 Біполярний транзистор - [SOT-223]: Тип: PNP Darl.: UКЕ(макс): 80 В: IК(макс): 500 мА: Pрос: 1.25 Вт: Fгран: 200 МГц:
57.50 ₴
IRF7404TRPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: P: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 40 ... 60 мом: @ Uзатв (ном): 2.7 ... 4.5 В: Uзатв (макс):
IRF7404TRPBF MOSFET силовий транзистор - Тип: P: Uси: 20 В: Rсі (вкл): 40 ... 60 мом: @ Uзатв (ном): 2.7 ... 4.5 В: Uзатв (макс):
50 ₴
FDS9926A MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 20 В, Іс (25 ° C): 6.5 А, Rсі (вкл): 30 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В,
FDS9926A MOSFET транзистор - SOIC-8-3.9, Тип: N, Uси: 20 В, Іс (25 ° C): 6.5 А, Rсі (вкл): 30 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В,
66.30 ₴
AOI4185 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -31А, 31Вт, TO251A
AOI4185 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -31А, 31Вт, TO251A
53.80 ₴
NCE82H140 82V 140A 220W 4.3mΩ@10V,20A 3V@250uA NChannel
NCE82H140 82V 140A 220W 4.3mΩ@10V,20A 3V@250uA NChannel
53.80 ₴
NCE65T360K 650V 11.5A 290mΩ@10V,7A 101W 3.5V 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
NCE65T360K 650V 11.5A 290mΩ@10V,7A 101W 3.5V 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
92.50 ₴
AO6601 Транзистор: N / P-MOSFET, польовий, комплементарная пара, -30 / 30В
AO6601 Транзистор: N / P-MOSFET, польовий, комплементарная пара, -30 / 30В
35 ₴