2Т331В-1
Код: 1332В наявності
10+ купили
26 ₴
Замовлення у продавця — від 500 ₴
Доставка
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Оплата за реквізитами
Безготівковий розрахунок
Характеристики та опис
Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.Кремнієві транзистори планарні n-p-n високочастотні і СВЧ підсилювальні з нормованим коефіцієнтом шуму на частоті 100 МГц. Призначені для посилення і генерування сигналів високої частоти.
Безкорпусні, без кристаллодержателя, з гнучкими виводами і захисним покриттям емаллю. Випускаються в супровідній тарі.
