2Т317В-1
Код: 1330В наявності
10+ купили
26 ₴
Замовлення у продавця — від 500 ₴
Доставка
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Оплата за реквізитами
Безготівковий розрахунок
Характеристики та опис
2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.2Т317В-1
Транзистори 2Т317В-1 кремнієві епітаксиально-планарні структури n-p-n універсальні.
Призначені для застосування в підсилювачах високої і низької частоти, перемикаючих та імпульсних пристроях герметизованою апаратури.
Безкорпусні з гнучкими виводами і захисним покриттям.
Запитання та відповіді
0
Хочеш дізнатися більше про товар? Запитуй — продавець залюбки підкаже.
