Prom – найбільший маркетплейс України
На жаль, товар недоступний. Переглянь товари від інших продавців

2П303В ОС

Код: 3621
Недоступний
100 ₴
2П303В ОС - фото 1 - id-p850422947

Характеристики та опис

Виробник
Елекс

Найменування: Польовий транзистор 2П303В ОС

Група: Транзистори

Категорія: Радіоелементи, мікросхеми, транзистори, тиристори

Примітка:

Рік виготовлення: 90-05гг.

Виробник: Далекс; Фотон; Елекс

Відгуки та запитання

  • Відгуки (0)
  • Запитання (0)
Всі
Ще не було відгуків про товар у цього продавця

Схоже в інших продавців

Транзистор B834-Y
Транзистор B834-Y
45 ₴
67 ₴
SPW16N50C3FKSA1 MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 16 А: Rсі (вкл): 0.28 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Qзатв:
SPW16N50C3FKSA1 MOSFET силовий транзистор - Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 16 А: Rсі (вкл): 0.28 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Qзатв:
582.50 ₴
STGW80H65DFB Транзистор: IGBT, 1,25 кв, 30А, 375Вт, TO247-3
STGW80H65DFB Транзистор: IGBT, 1,25 кв, 30А, 375Вт, TO247-3
800 ₴
FQP9N90C МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 900 В, 1.12 Ом, 10 В, 5 В
FQP9N90C МОП-транзистор, N Канал, 8 А, 900 В, 1.12 Ом, 10 В, 5 В
533.75 ₴
TIP33CG Транзистор: NPN: біполярний: 115В: 10А: 80Вт
TIP33CG Транзистор: NPN: біполярний: 115В: 10А: 80Вт
421.25 ₴
Транзистор B858
Транзистор B858
30 ₴
46 ₴
SGW30N60HS IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole
SGW30N60HS IGBT NPT 600V 41A 250W Through Hole
522.50 ₴
IPAW60R180P7SXKSA1 Транзистор MOSFET N-CH 600V 18A
IPAW60R180P7SXKSA1 Транзистор MOSFET N-CH 600V 18A
556.25 ₴
BUX48A Біполярний транзистор - TO-3, Тип: NPN, UКЕ (макс): 450 В, IК (макс): 15 А, Pрасс: 55 Вт
BUX48A Біполярний транзистор - TO-3, Тип: NPN, UКЕ (макс): 450 В, IК (макс): 15 А, Pрасс: 55 Вт
1 430 ₴
FGA50S110P IGBT 1100V 50A 300W
FGA50S110P IGBT 1100V 50A 300W
593.75 ₴
SGT40T120FD1P7 NPN•312 W•1.2 kV•80 A
SGT40T120FD1P7 NPN•312 W•1.2 kV•80 A
391.25 ₴
STGW20NC60VD IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 30 А: Uке.нас: 1.7 В: Діод tвосст: 88 нс: Діод Uпад:
STGW20NC60VD IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uке.макс: 600 В: Ік при 25 ° C: 30 А: Uке.нас: 1.7 В: Діод tвосст: 88 нс: Діод Uпад:
500 ₴
STW20NM50FD MOSFET силовий транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 20 А: Rсі (вкл): 0.25 Ом
STW20NM50FD MOSFET силовий транзистор - TO-247-3: Тип: N: Uси: 500 В: Iс (25 ° C): 20 А: Rсі (вкл): 0.25 Ом
1 291.25 ₴
NJL0302DG Si,THT,PNP: 180 W, 30 MHz,260V, 5 @ 500mA, 5V
NJL0302DG Si,THT,PNP: 180 W, 30 MHz,260V, 5 @ 500mA, 5V
700 ₴